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BZD27C11P-E3-08

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  • BZD27C11P-E3-08 稳压(齐纳)二极管
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:何芝

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  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
BZD27C11P-E3-08 技术参数
  • BZD27C11P RVG 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1 BZD27C11P RUG 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±5.45% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1,800 BZD27C11P RTG 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±5.45% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:7,500 BZD27C11P RQG 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±5.45% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD27C11P RHG 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±5.45% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD27C11PHRHG BZD27C11PHRQG BZD27C11PHRTG BZD27C11PHRUG BZD27C11PHRVG BZD27C11P-M-08 BZD27C11P-M-18 BZD27C11P-M3-08 BZD27C11P-M3-18 BZD27C120P M2G BZD27C120P MHG BZD27C120P MQG BZD27C120P MTG BZD27C120P R3G BZD27C120P RFG BZD27C120P RHG BZD27C120P RQG BZD27C120P RTG
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