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  • BZG04-120TR
  • 9800
  • Vishay Semiconductors
  • 12+
  • DO-214AC
1
BZG04-120TR
参数信息:

功能描述:稳压二极管 120 Volt 300 Watt Glass Passivated

RoHS:

制造商:Vishay Semiconductors

齐纳电压:12 V

电压容差:5 %

电压温度系数:0.075 % / K

齐纳电流:

功率耗散:3 W

最大反向漏泄电流:3 uA

最大齐纳阻抗:7 Ohms

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DO-214AC

封装:Reel

BZG04-120TR技术参数

BZG04-120TR3 功能描述:稳压二极管 120 Volt 300 Watt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZG04-12TR 功能描述:稳压二极管 12 Volt 300 Watt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZG04-12TR3 功能描述:稳压二极管 12 Volt 300 Watt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZG0413 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Silicon Transient Voltage Suppressors BZG04-13 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes with Surge Current Specification BZG04130 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Silicon Transient Voltage Suppressors BZG04-130 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Transient voltage suppressor diodes BZG04-130TR 功能描述:稳压二极管 130 Volt 300 Watt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZG04-130TR3 功能描述:稳压二极管 130 Volt 300 Watt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZG04-13TR 功能描述:稳压二极管 13 Volt 300 Watt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel