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BZS55C9V1

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功能描述
稳压二极管 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZS55C9V1 技术参数

BZS55C8V2 RXG 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55C7V5 RXG 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55C6V8 RXG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55C6V2 RXG 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55C5V6 RXG 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZT03C120-TAP BZT03C120-TR BZT03C12-TAP BZT03C12-TR BZT03C130-TAP BZT03C130-TR BZT03C13-TAP BZT03C13-TR BZT03C150-TAP BZT03C150-TR BZT03C15-TAP BZT03C15-TR BZT03C160-TAP BZT03C160-TR BZT03C16-TAP BZT03C16-TR BZT03C180-TAP BZT03C180-TR