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BZT52C39T1G技术参数

BZT52C39-TP 功能描述:稳压二极管 500mW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZT52C39T-TP 功能描述:稳压二极管 100mW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZT52C39V 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES BZT52C39-V 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes BZT52C39-V-GS08 功能描述:稳压二极管 39 Volt 0.41W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZT52C39-V-GS18 功能描述:稳压二极管 39 Volt 0.41W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZT52C39W 制造商:DAYA 制造商全称:DAYA 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES BZT52C39WS 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:200mW Two Terminals SMD Zener Diodes BZT52-C39X 功能描述:DIODE ZENER 39V 350MW SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39V 容差:±5.1% 功率 - 最大值:350mW 阻抗(最大值)(Zzt):75 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标准包装:3,000 BZT52-C3-AU 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES BZT52C39-TP BZT52C39T-TP BZT52-C39X BZT52C3V0 RHG BZT52C3V0-13 BZT52C3V0-7 BZT52C3V0-7-F BZT52C3V0-E3-08 BZT52C3V0-E3-18 BZT52C3V0-G RHG BZT52C3V0-G3-08 BZT52C3V0-G3-18 BZT52C3V0-HE3-08 BZT52C3V0-HE3-18 BZT52-C3V0J BZT52C3V0K RKG BZT52C3V0LP-7 BZT52C3V0S RRG