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BZT52C39T1G技术参数

BZT52C39-TP 功能描述:稳压二极管 500mW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZT52C39T-TP 功能描述:稳压二极管 100mW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZT52C39V 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES BZT52C39-V 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes BZT52C39-V-GS08 功能描述:稳压二极管 39 Volt 0.41W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZT52C39-V-GS18 功能描述:稳压二极管 39 Volt 0.41W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZT52C39W 制造商:DAYA 制造商全称:DAYA 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES BZT52C39WS 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:200mW Two Terminals SMD Zener Diodes BZT52-C3-AU 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES BZT52C3S 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE