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BZT55B5V6-GS085.6V

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BZT55B5V6-GS085.6V 技术参数

BZT55B5V6-GS08 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:2,500 BZT55B5V6 L1G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZT55B5V6 L0G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZT55B5V1-GS18 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:10,000 BZT55B5V1-GS08 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:2,500 BZT55B6V2 L0G BZT55B6V2 L1G BZT55B6V2-GS08 BZT55B6V2-GS18 BZT55B6V8 L0G BZT55B6V8 L1G BZT55B6V8-GS08 BZT55B6V8-GS18 BZT55B75 L0G BZT55B75 L1G BZT55B75-GS08 BZT55B75-GS18 BZT55B7V5 L0G BZT55B7V5 L1G BZT55B7V5-GS08 BZT55B7V5-GS18 BZT55B8V2 L0G BZT55B8V2 L1G