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BZV55C12 12V

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BZV55C12 12V
深圳市荣泽信电子科技有限公司
深圳市荣泽信电子科技有限公司
联系人：荣泽信－晏S
电话：18028731859
地址：华富村东区417室
10000
15+
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全新原装真实现货库存，价格优势，值得查询

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BZV55C12 12V 技术参数

BZV55C12 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 BZV55C11-TP 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount Mini MELF 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:1 BZV55-C11,135 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:10,000 BZV55-C11,115 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 基本零件编号:BZV55C11 标准包装:1 BZV55C11 L1G 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55C13-TP BZV55C15 BZV55C15 L0G BZV55C15 L1G BZV55-C15,115 BZV55-C15,135 BZV55C15-TP BZV55C16 BZV55C16 L0G BZV55C16 L1G BZV55-C16,115 BZV55-C16,135 BZV55C16-TP BZV55C18 L0G BZV55C18 L1G BZV55-C18,115 BZV55-C18,135 BZV55C18-TP