BZX384C3V9-HE3-18技术参数
BZX384C3V9-V
制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
BZX384C3V9-V-GS08
功能描述:稳压二极管 3.9 Volt 0.2W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZX384C3V9-V-GS18
功能描述:稳压二极管 3.9 Volt 0.2W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZX384C43
制造商:SYNSEMI 制造商全称:SYNSEMI 功能描述:ZENER DIODES
BZX384-C43
制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 43V 5% SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 43V, 5%, SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Zener Diode,300mW,43V,BZX384-C43
BZX384-C43 T/R
功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZX384-C43,115
功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
BZX384-C43115
制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage Regulator Diode
BZX384C43-E3-08
制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD323
BZX384C43-E3-18
制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD323
BZX384-C43,115
BZX384C43-E3-08
BZX384C43-E3-18
BZX384C43-G3-08
BZX384C43-G3-18
BZX384C43-HE3-08
BZX384C43-HE3-18
BZX384-C47,115
BZX384C47-E3-08
BZX384C47-E3-18
BZX384C47-G3-08
BZX384C47-G3-18
BZX384C47-HE3-08
BZX384C47-HE3-18
BZX384-C4V3,115
BZX384C4V3-E3-08
BZX384C4V3-E3-18
BZX384C4V3-G3-08