BZX384C3V9-HE3-18技术参数

BZX384C3V9-V 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes BZX384C3V9-V-GS08 功能描述:稳压二极管 3.9 Volt 0.2W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZX384C3V9-V-GS18 功能描述:稳压二极管 3.9 Volt 0.2W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZX384C43 制造商:SYNSEMI 制造商全称:SYNSEMI 功能描述:ZENER DIODES BZX384-C43 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 43V 5% SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 43V, 5%, SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Zener Diode,300mW,43V,BZX384-C43 BZX384-C43 T/R 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZX384-C43,115 功能描述:稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel BZX384-C43115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage Regulator Diode BZX384C43-E3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD323 BZX384C43-E3-18 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD323 BZX384-C43,115 BZX384C43-E3-08 BZX384C43-E3-18 BZX384C43-G3-08 BZX384C43-G3-18 BZX384C43-HE3-08 BZX384C43-HE3-18 BZX384-C47,115 BZX384C47-E3-08 BZX384C47-E3-18 BZX384C47-G3-08 BZX384C47-G3-18 BZX384C47-HE3-08 BZX384C47-HE3-18 BZX384-C4V3,115 BZX384C4V3-E3-08 BZX384C4V3-E3-18 BZX384C4V3-G3-08