您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 > B字母第1761页 >

BZX55C4V3-TAP

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BZX55C4V3-TAP
    BZX55C4V3-TAP

    BZX55C4V3-TAP

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 44650

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • BZX55C4V3-TAP
    BZX55C4V3-TAP

    BZX55C4V3-TAP

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 4556

  • VISHAY

  • 1425

  • -
  • 原装正品,现货库存!

  • BZX55C4V3-TAP
    BZX55C4V3-TAP

    BZX55C4V3-TAP

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • VISHAY

  • DO35

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1/1页 40条/页 共13条 
  • 1
BZX55C4V3-TAP PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 5%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
BZX55C4V3-TAP 技术参数
  • BZX55C4V3_T50R 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):75 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C4V3_T50A 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):75 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C4V3 A0G 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):75 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C4V3 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):75 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX55C47-TR 功能描述:Zener Diode 47V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):110 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C51_T50A BZX55C51_T50R BZX55C51-TAP BZX55C51-TR BZX55C56 BZX55C56 A0G BZX55C56_T50A BZX55C56_T50R BZX55C56-TAP BZX55C56-TR BZX55C5V1 BZX55C5V1 A0G BZX55C5V1_T50A BZX55C5V1_T50R BZX55C5V1-TAP BZX55C5V1-TR BZX55C5V6 BZX55C5V6 A0G
配单专家

在采购BZX55C4V3-TAP进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BZX55C4V3-TAP产品风险,建议您在购买BZX55C4V3-TAP相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BZX55C4V3-TAP信息由会员自行提供,BZX55C4V3-TAP内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号