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BZX584B12,12V,SOD-523,HF,长电

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BZX584B12,12V,SOD-523,HF,长电 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BZX584B12,12V,SOD-523,HF,长电技术参数

BZX584B12 RKG 功能描述:DIODE ZENER 12V 150MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:3,000 BZX584B11 RKG 功能描述:DIODE ZENER 11V 150MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:3,000 BZX584B10 RKG 功能描述:DIODE ZENER 10V 150MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:3,000 BZX55F9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55F9V1-TAP 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX584B5V6 RSG BZX584B6V2 RKG BZX584B6V2 RSG BZX584B6V8 RKG BZX584B6V8 RSG BZX584B7V5 RKG BZX584B7V5 RSG BZX584B8V2 RKG BZX584B8V2 RSG BZX584B9V1 RKG BZX584B9V1 RSG BZX584C10-V-G-08 BZX584C11-V-G-08 BZX584C12-V-G-08 BZX584C13-V-G-08 BZX584C15-V-G-08 BZX584C16-V-G-08 BZX584C18-V-G-08