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BZX584C18-02VGS08

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BZX584C18-02VGS08 技术参数
  • BZX584C16-V-G-08 功能描述:Zener Diode 16V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 11.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584C15-V-G-08 功能描述:Zener Diode 15V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584C13-V-G-08 功能描述:Zener Diode 13V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584C12-V-G-08 功能描述:Zener Diode 12V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584C11-V-G-08 功能描述:Zener Diode 11V 200mW ±5% Surface Mount SOD-523 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:3,000 BZX584C36-V-G-08 BZX584C39-V-G-08 BZX584C3V0-V-G-08 BZX584C3V3-V-G-08 BZX584C3V6-V-G-08 BZX584C3V9-V-G-08 BZX584C43-V-G-08 BZX584C47-V-G-08 BZX584C4V3-V-G-08 BZX584C4V7-V-G-08 BZX584C51-V-G-08 BZX584C5V1-V-G-08 BZX584C5V6-V-G-08 BZX584C6V2-V-G-08 BZX584C6V8-V-G-08 BZX584C7V5-V-G-08 BZX584C8V2-V-G-08 BZX584C9V1-V-G-08
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