BZX79-C51143

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BZX79-C51143
深圳市思诺康科技有限公司
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地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
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深圳市佳斯泰科技有限公司
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联系人：廖先生
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BZX79-C51143 技术参数

BZX79C51_T50R 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX79C51_T50A 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX79-C51,143 功能描述:Zener Diode 51V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-C51,133 功能描述:Zener Diode 51V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79-C51,113 功能描述:DIODE ZENER 51V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:1 BZX79C5V1 A0G BZX79-C5V1,113 BZX79-C5V1,133 BZX79-C5V1,143 BZX79C5V1_T50A BZX79C5V1_T50R BZX79C5V1-T50A BZX79C5V6 BZX79C5V6 A0G BZX79-C5V6,113 BZX79-C5V6,133 BZX79-C5V6,143 BZX79C5V6_T50A BZX79C5V6_T50R BZX79C5V6-T50A BZX79C5V6TR BZX79C62 A0G BZX79-C62,113