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BZX79-C6V4

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BZX79-C6V4
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-83789203多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
NXP
原厂封装
17+
-
原装现货，优势供应

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BZX79-C6V4 技术参数

BZX79C6V2-T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:BZX79C6V2 标准包装:1 BZX79C6V2-T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:BZX79C6V2 标准包装:1 BZX79C6V2_T50R 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX79C6V2_T50A 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX79-C6V2,143 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79C6V2 标准包装:1 BZX79-C75,113 BZX79-C75,133 BZX79-C75,143 BZX79C7V5 BZX79C7V5 A0G BZX79-C7V5,113 BZX79-C7V5,133 BZX79-C7V5,143 BZX79C7V5_T50A BZX79C7V5_T50R BZX79C7V5-T50A BZX79C8V2 BZX79C8V2 A0G BZX79-C8V2,113 BZX79-C8V2,133 BZX79-C8V2,143 BZX79C8V2_T50A BZX79C8V2_T50R