BZX84C33Y12

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BZX84C33Y12 技术参数

BZX84C33W-7-F 功能描述:Zener Diode 33V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C33W-7 功能描述:Zener Diode 33V 200mW ±6% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BZX84C33VLFHT116 功能描述:ZENER DIODE (AEC-Q101 QUALIFIED) 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 BZX84C33TS-7-F 功能描述:Zener Diode Array 3 Independent 33V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:3 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BZX84C33-TP 功能描述:DIODE ZENER 33V 350MW SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 23.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BZX84C36-E3-08 BZX84C36-E3-18 BZX84C36ET3 BZX84C36ET3G BZX84C36-G3-08 BZX84C36-G3-18 BZX84C36-HE3-08 BZX84C36-HE3-18 BZX84C36LT1 BZX84C36LT1G BZX84C36LT3G BZX84C36S-7 BZX84C36S-7-F BZX84C36T-7-F BZX84C36-TP BZX84C36TS-7-F BZX84C36VLFHT116 BZX84C36W-7