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BZX84C3VOLT1G

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制造商
ON Semiconductor
功能描述

BZX84C3VOLT1G 技术参数

BZX84C3V9W-7-F 功能描述:Zener Diode 3.9V 200mW ±5% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C3V9W-7 功能描述:Zener Diode 3.9V 200mW ±5% Surface Mount SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BZX84C3V9TS-7-F 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售配置:3 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C3V9-TP 功能描述:Zener Diode 3.9V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BZX84C3V9T-7-F 功能描述:Zener Diode 3.9V 150mW ±5% Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:150mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:3,000 BZX84C43-HE3-18 BZX84C43LT1 BZX84C43LT1G BZX84C43-TP BZX84-C47,215 BZX84-C47,235 BZX84-C47/DG/B2,23 BZX84-C47/LF1R BZX84-C47/LF1VL BZX84C47-7 BZX84C47-7-F BZX84C47-E3-08 BZX84C47-E3-18 BZX84C47ET1 BZX84C47-G3-08 BZX84C47-G3-18 BZX84C47-HE3-08 BZX84C47-HE3-18