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BZX84C47 /Y16

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BZX84C47 /Y16 技术参数
  • BZX84C43-TP 功能描述:Zener Diode 43V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 30.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BZX84C43LT1G 功能描述:Zener Diode 43V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 30.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 BZX84C43LT1 功能描述:Zener Diode 43V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 30.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:10 BZX84C43-HE3-18 功能描述:Zener Diode 43V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 30.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BZX84C43-HE3-08 功能描述:Zener Diode 43V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 30.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BZX84C47ET1 BZX84C47-G3-08 BZX84C47-G3-18 BZX84C47-HE3-08 BZX84C47-HE3-18 BZX84C47LT1 BZX84C47LT1G BZX84C47TA BZX84C47-TP BZX84C4V3 BZX84C4V3 RFG BZX84C4V3 TR BZX84-C4V3,215 BZX84-C4V3,235 BZX84-C4V3/LF1R BZX84-C4V3/LF1VL BZX84C4V3-7 BZX84C4V3-7-F
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