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BZX84J-B3V0115

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制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BZX84J-B3V0115 技术参数

BZX84J-B3V0,115 功能描述:Zener Diode 3V 550mW ±2% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX84J-B39,115 功能描述:Zener Diode 39V 550mW ±2% Surface Mount SOD-323F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:75 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZX84J-B36,115 功能描述:DIODE ZENER 36V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 25.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-B33,115 功能描述:DIODE ZENER 33V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 23.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-B30,115 功能描述:DIODE ZENER 30V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:1 BZX84J-B56,115 BZX84J-B5V1,115 BZX84J-B5V6,115 BZX84J-B5V6/DG/B2, BZX84J-B62,115 BZX84J-B68,115 BZX84J-B6V2,115 BZX84J-B6V8,115 BZX84J-B75,115 BZX84J-B7V5,115 BZX84J-B8V2,115 BZX84J-B9V1,115 BZX84J-C10,115 BZX84J-C11,115 BZX84J-C12,115 BZX84J-C12/ZLX BZX84J-C12F BZX84J-C13,115