BZX85C75_T50A

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功能描述
稳压二极管
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZX85C75_T50A 技术参数

BZX85C6V8-TR 功能描述:Zener Diode 6.8V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C6V8-TAP 功能描述:Zener Diode 6.8V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C6V8_T50R 功能描述:Zener Diode 6.8V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:6,000 BZX85C6V8_T50A 功能描述:Zener Diode 6.8V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:3,000 BZX85C6V8 R0G 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 BZX85C82-TR BZX85C8V2 BZX85C8V2 A0G BZX85C8V2 R0G BZX85C8V2_T50A BZX85C8V2_T50R BZX85C8V2-TAP BZX85C8V2-TR BZX85C91-TAP BZX85C91-TR BZX85C9V1 BZX85C9V1 A0G BZX85C9V1 R0G BZX85C9V1_T50A BZX85C9V1_T50R BZX85C9V1-TAP BZX85C9V1-TR BZX884-B10,315