BZX87C12

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BZX87C12 技术参数

BZX85C9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C9V1-TAP 功能描述:Zener Diode 9.1V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C9V1_T50R 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:6,000 BZX85C9V1_T50A 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:3,000 BZX85C9V1 R0G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 BZX884-B24,315 BZX884-B27,315 BZX884-B2V4,315 BZX884-B2V7,315 BZX884-B30,315 BZX884-B33,315 BZX884-B36,315 BZX884-B39,315 BZX884-B3V0,315 BZX884-B3V3,315 BZX884-B3V6,315 BZX884-B3V9,315 BZX884-B43,315 BZX884-B47,315 BZX884-B4V3,315 BZX884-B4V7,315 BZX884-B51,315 BZX884-B56,315