BZX884-C16 T/R

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功能描述
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZX884-C16 T/R 技术参数

BZX884-C15,315 功能描述:DIODE ZENER 15V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 10.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C15 标准包装:1 BZX884-C13,315 功能描述:DIODE ZENER 13V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C13 标准包装:1 BZX884-C12,315 功能描述:DIODE ZENER 12V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C12 标准包装:1 BZX884-C11,315 功能描述:DIODE ZENER 11V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C11 标准包装:1 BZX884-C10,315 功能描述:DIODE ZENER 10V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C10 标准包装:1 BZX884-C33,315 BZX884-C36,315 BZX884-C39,315 BZX884-C3V0,315 BZX884-C3V3,315 BZX884-C3V6,315 BZX884-C3V9,315 BZX884-C43,315 BZX884-C47,315 BZX884-C4V3,315 BZX884-C4V7,315 BZX884-C51,315 BZX884-C56,315 BZX884-C5V1,315 BZX884-C5V6,315 BZX884-C62,315 BZX884-C68,315 BZX884-C6V2,315