BZY55B4V7RYG

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BZY55B4V7RYG 技术参数

BZY55B4V7 RYG 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B4V3 RYG 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B3V9 RYG 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B3V6 RYG 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B3V3 RYG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55C12 RYG BZY55C13 RYG BZY55C15 RYG BZY55C16 RYG BZY55C18 RYG BZY55C20 RYG BZY55C22 RYG BZY55C24 RYG BZY55C27 RYG BZY55C2V4 RYG BZY55C2V7 RYG BZY55C30 RYG BZY55C33 RYG BZY55C36 RYG BZY55C3V0 RYG BZY55C3V3 RYG BZY55C3V6 RYG BZY55C3V9 RYG