C2DEP1010

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说明
操作

C2DEP1010NP-100MC-120
现货
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
联系人：陈先生
电话：0754-84492320
地址：广东省汕头市潮南区陈店镇溪口九斗花园旁
950000
SUMIDA
SMD
24+
-
原箱原装大量现货

C2DEP1010NP-100MC-120
深圳市钧凌科技有限公司
深圳市钧凌科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：18129868172
地址：华强北街道上步工业区304栋西座509
12000
SUMIDA
SMD
25+
-
原装现货

C2DEP1010NP-100MC-120
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
995
N/A
SMD
-
995

C2DEP1010NP-100MC-120
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SUMIDA
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
SUMIDA
制造商全称
Sumida Corporation
功能描述
SMD Power Inductor

C2DEP1010 技术参数

C2D20120D 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 22A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Zero Recovery?? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:22A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2D10120D 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Zero Recovery?? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 5A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2D10120A 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Through Hole TO-220-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Zero Recovery?? 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:1000pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:50 C2D05120E-TR 功能描述:Diode Schottky 1200V (1.2kV) 17.5A Surface Mount TO-252-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Zero Recovery?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:17.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:33pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 C2D05120E 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A (DC) Surface Mount TO-252-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Zero Recovery?? 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:5A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 5A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:75 C2DF2442PBK1 C2DF2449PBK1 C2DF2456PBK1 C2DF2463PBK1 C2DF2470PBK1 C2DF2478PBK1 C2DF2485PBK1 C2DG6 C2DKEY C2EI6WR C2F193523LG1 C2F193531LG1 C2F193536LG1 C2F194223LG1 C2F194231LG1 C2F194236LG1 C2F194923LG1 C2F194931LG1