CEE2K110BJ104KB-T

配单专家企业名单

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说明
操作

CEE2K110BJ104KB-T
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
TAIYO
现货低价出售
18+
-
原装正品，优势供应

CEE2K110BJ104KB-T
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
500000
TAIYO/太诱
SMD
最新年份
-
长期代理优势供应可开增值税

CEE2K110BJ104KB-T
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3596
TAIYO
SMD
2233+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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CEE2K110BJ104KB-T 技术参数

CEE0.6100.151 功能描述:Power Entry Connector Receptacle, Male Blades - Module IEC 320-C14 Panel Mount, Flange 制造商:schurter inc. 系列:CE 包装:散装零件状态:有效连接器样式:IEC 320-C14 连接器类型:插座，公插片 - 模块电流 - IEC:6A 电压 - IEC:250VAC 电流 - UL:6A 电压 - UL:125VAC 滤波器类型:滤波（EMI，RFI）- 商用、医用保险丝:是针脚数:3 安装类型:面板安装，法兰端接:快速连接 - 0.189"（4.8mm）开关功能:- 特性:电压选择器保险丝座，抽屉:抽屉单独出售面板开口尺寸:矩形 - 28.50mm x 53.50mm 面板厚度:- 材料可燃性等级:UL94 V-0 侵入防护:IP40 认可:cULus，ENEC 标准包装:10 CEDS055V0-G 功能描述:TVS DIODE 5VWM SOT23-5 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.1A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标准包装:3,000 CEDS0524V-G 功能描述:TVS DIODE 24VWM SOT23-5 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:24V 电压 - 击穿（最小值）:25V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:25V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:15A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标准包装:3,000 CEDM8004VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883VL 标准包装:1 CEDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883VL 标准包装:1 CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G CEFA104-G CEFA105-G CEFA201-G CEFA202-G CEFA203-G CEFB101-G CEFB102-G CEFB103-G