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CEFF630B

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 操作
  • CEFF630B
    CEFF630B

    CEFF630B

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • C

  • TO-220FP

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • CEFF630B
    CEFF630B

    CEFF630B

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 5237

  • CET

  • TO-220F

  • 1219+

  • -
  • 原装现货/特价

  • CEFF630B
    CEFF630B

    CEFF630B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • CET

  • TO-220F

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • CEFF630B
    CEFF630B

    CEFF630B

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • CET

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共10条 
  • 1
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  • 制造商
  • CET
  • 制造商全称
  • Chino-Excel Technology
  • 功能描述
  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEFF630B 技术参数
  • CEFC305-G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.7V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB,(SMC) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 CEFC304-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB,(SMC) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 CEFC303-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB,(SMC) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 CEFB205-G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 CEFB204-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 CEG1-1-51-30.0-A-91-V CEG1-1-52-8.00-Q-91-V CEG1-1REC4-31861-1-V CEG1-1REC4-31968-1-V CEG1-1REC4-33399-03-V CEG1-1REC4-33399-05-V CEG1-1REC4-33399-06-V CEG1-1REC4-33399-10-V CEG1-1REC4-33399-252-V CEG1-1REC4-35302-1-V CEG1-1REC4-51-5.00-01-V CEG1-1REC5-35948-30-V CEG1-1REC5-35948-4-V CEG1-1REC5-35949-10-V CEG1-1REC5-35949-15-V CEG1-1REC5-35949-25-V CEG1-30583-2-V CEG1-30583-3-V
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