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CLF10060NIT-4R7N-D

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

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    电话:18724450645

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    资质:营业执照

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

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    资质:营业执照

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  • 深圳市盛芯世纪科技有限公司
    深圳市盛芯世纪科技有限公司

    联系人:杨先生,www.dz-ic.cn

    电话:0755-8397991513312996395

    地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F

    资质:营业执照

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  • TDK

  • 21+

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  • 原装正品www.dz-ic.cn

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CLF10060NIT-4R7N-D PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 4.7μH Shielded Wirewound Inductor 7A 14.3 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • CLF-NI-D
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 4.7μH
  • 容差
  • ±30%
  • 额定电流
  • 7A
  • 电流 - 饱和值
  • 5.7A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 14.3 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • AEC-Q200
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C
  • 频率 - 测试
  • 100kHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 非标准
  • 大小/尺寸
  • 0.398" 长 x 0.394" 宽(10.10mm x 10.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)
  • 0.248"(6.30mm)
  • 标准包装
  • 1
CLF10060NIT-4R7N-D 技术参数
  • CLF10060NIT-471M-D 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 900mA 720 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:900mA 电流 - 饱和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):720 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽(10.10mm x 10.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.248"(6.30mm) 标准包装:1 CLF10060NIT-470M-D 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 88.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):88.8 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽(10.10mm x 10.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.248"(6.30mm) 标准包装:1 CLF10060NIT-3R3N-D 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 8.1A 11.05 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.3μH 容差:±30% 额定电流:8.1A 电流 - 饱和值:5.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):11.05 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽(10.10mm x 10.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.248"(6.30mm) 标准包装:1 CLF10060NIT-331M-D 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 534 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:330μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:700mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):534 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽(10.10mm x 10.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.248"(6.30mm) 标准包装:1 CLF10060NIT-330M-D 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 73.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:33μH 容差:±20% 额定电流:2.9A 电流 - 饱和值:2.15A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):73.2 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽(10.10mm x 10.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.248"(6.30mm) 标准包装:1 CLF12555T-101M-H CLF12555T-150M CLF12555T-150M-CA CLF12555T-150M-D CLF12555T-150M-H CLF12555T-151M CLF12555T-151M-CA CLF12555T-151M-D CLF12555T-151M-H CLF12555T-1R0N CLF12555T-1R0N-CA CLF12555T-1R0N-D CLF12555T-1R0N-H CLF12555T-1R5N CLF12555T-1R5N-CA CLF12555T-1R5N-D CLF12555T-1R5N-H CLF12555T-220M
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