CLF10060NIT-680M-D

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CLF10060NIT-680M-D
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
985
TDK Corporation
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

CLF10060NIT-680M-D
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
TDK
22+
-
原装正品

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功能描述
68μH Shielded Wirewound Inductor 2.4A 109.2 mOhm Max Nonstandard
制造商
tdk corporation
系列
CLF-NI-D
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
68μH
容差
±20%
额定电流
2.4A
电流 - 饱和值
1.45A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
109.2 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
AEC-Q200
工作温度
-55°C ~ 150°C
频率 - 测试
100kHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
非标准
大小/尺寸
0.398" 长 x 0.394" 宽（10.10mm x 10.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.248"（6.30mm）
标准包装
1

CLF10060NIT-680M-D 技术参数

CLF10060NIT-4R7N-D 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 7A 14.3 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:7A 电流 - 饱和值:5.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:14.3 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽（10.10mm x 10.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.248"（6.30mm）标准包装:1 CLF10060NIT-471M-D 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 900mA 720 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:470μH 容差:±20% 额定电流:900mA 电流 - 饱和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:720 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽（10.10mm x 10.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.248"（6.30mm）标准包装:1 CLF10060NIT-470M-D 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 88.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:88.8 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽（10.10mm x 10.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.248"（6.30mm）标准包装:1 CLF10060NIT-3R3N-D 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 8.1A 11.05 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±30% 额定电流:8.1A 电流 - 饱和值:5.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:11.05 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽（10.10mm x 10.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.248"（6.30mm）标准包装:1 CLF10060NIT-331M-D 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 534 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:330μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:700mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:534 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.398" 长 x 0.394" 宽（10.10mm x 10.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.248"（6.30mm）标准包装:1 CLF12555T-150M CLF12555T-150M-CA CLF12555T-150M-D CLF12555T-150M-H CLF12555T-151M CLF12555T-151M-CA CLF12555T-151M-D CLF12555T-151M-H CLF12555T-1R0N CLF12555T-1R0N-CA CLF12555T-1R0N-D CLF12555T-1R0N-H CLF12555T-1R5N CLF12555T-1R5N-CA CLF12555T-1R5N-D CLF12555T-1R5N-H CLF12555T-220M CLF12555T-220M-CA