CM1232P1

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CM1232P1 技术参数

CM1231-02SO 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC SOT23-6 制造商:on semiconductor 系列:XtremeESD? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:- 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:是应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 CM1230-J2CP 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 9.8VC CSP4 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.8V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:是应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-WFBGA，WLCSP 供应商器件封装:4-WLCSP（0.96x0.96）标准包装:1 CM1230-08CP 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 9.8VC 10WLCSP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:8 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.8V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:是应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WFBGA，WLCSP 供应商器件封装:10-WLCSP（2.46x.96）标准包装:1 CM1230-04CP 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 9.8VC CSP6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.8V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:是应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WFBGA，WLCSP 供应商器件封装:6-WLCSP（1.46x0.96）标准包装:3,500 CM1230-02CP 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 9.8VC WLCSP4 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:3.3V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.8V（标准）电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:1A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:是应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-WFBGA，WLCSP 供应商器件封装:4-WLCSP（0.96x0.96）标准包装:1 CM1248-04QG CM1248-04S9 CM1248-08DE CM1-24V CM1250-04QG CM1251 CM1263-02SE CM1263-06DE CM1291-4104YT CM1293A-02SO CM1293A-02SR CM1293A-04MR CM1293A-04SO CM-1300 CM-1300-C CM1301-7R CM1301-9R CM1301-9RG