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CMH08(TE12L,Q,M)

配单专家企业名单
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  • CMH08(TE12L,Q,M)
    CMH08(TE12L,Q,M)

    CMH08(TE12L,Q,M)

  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

  • 3486

  • TOSHIBA

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 16000

  • Toshiba Semiconductor and

  • 原厂封装

  • 17+

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  • 全新原装现货

  • CMH08(TE12L,Q,M)
    CMH08(TE12L,Q,M)

    CMH08(TE12L,Q,M)

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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  • CMH08(TE12L,Q,M)
    CMH08(TE12L,Q,M)

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • 原厂封装

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CMH08(TE12L,Q,M) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 400 Vrrm 2.0A IF 1.3V VFM 30A IFSM
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
CMH08(TE12L,Q,M) 技术参数
  • CMH07(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:980mV @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH05A(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 400V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1 CMH05(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH04(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 200V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH02A(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.8V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 CMH322522-15NML CMH322522-180KL CMH322522-181KL CMH322522-18NML CMH322522-1R0KL CMH322522-1R2KL CMH322522-1R5KL CMH322522-1R8KL CMH322522-220KL CMH322522-221KL CMH322522-22NML CMH322522-270KL CMH322522-271KL CMH322522-27NML CMH322522-2R2KL CMH322522-2R7KL CMH322522-330KL CMH322522-331KL
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