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CMLT3906E-TR

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
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CMLT3906E-TR 技术参数
  • CMLT3906EG TR 功能描述:TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLT3906E TR 功能描述:TRANS PNP 60V 0.2A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLT3904EG TR 功能描述:TRANS NPN 60V 0.2A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLT3904E TR 功能描述:TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLT3820G TR 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):280mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMM1118-QT-0G0T CMM24513S4-91RSM CMM24513S4-91RTN CMM24513S6-91RSM CMM24513S6-91RTN CMM6001-SC-0G0T CMM6004-SC-0G0T CMMC-8I-DB CMMC-8P-MF CMMCX174 CMMCX174RA CMMJBL CMMJBU CMMJEI CMMJIG CMMJIW CMMJWH CMMPOBLBL
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