CMUDM8005 TR_代理商_批发/采购【买卖IC网】CMUDM8005 TR

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说明
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CMUDM8005 TR
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Central Semiconductor Cor
SOT-523
17+
-
全新原装现货

CMUDM8005 TR PBFREE
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
200
Central Semiconductor
SOT-523
19+
-
瑞智芯只做原装

CMUDM8005 TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CMUDM8005 TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
CENTRAL S
REEL
1521+
-
全新原装现货

CMUDM8005 TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Central
SOT-523
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CMUDM8005 TR
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2905
Central Semiconductor Cor
SOT-523
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

CMUDM8005 TR
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
CENTRAL SEMICONDUCTOR
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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制造商
CENTRAL SEMICONDUCTOR
功能描述
CMUDM8005 Series 20V 0.8Ohm P-Channel Enchancement-Mode Silicon Mosfet - SOT-523

CMUDM8005 TR 技术参数

CMUDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM7005 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:230 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUDM7001 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.57nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 3V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 CMUSBAABL CMUSBAAEI CMUSBAAIG CMUSBAAIW CMUSBAAWH CMUSH05-4 TR CMUSH2-4 TR CMUSH2-4A TR CMUSH2-4S TR CMUT19 CMUT2222A BK CMUT2222A TR CMUT2907A BK CMUT2907A TR CMUT3904 BK CMUT3904 TR CMUT5087E TR CMUT5088E TR

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