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CMZ36(TE12L,Q)

配单专家企业名单
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  • CMZ36(TE12L,Q)
    CMZ36(TE12L,Q)

    CMZ36(TE12L,Q)

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 856420

  • TOSHIBA

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • CMZ36(TE12L,Q)
    CMZ36(TE12L,Q)

    CMZ36(TE12L,Q)

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 577

  • TOSHIBA

  • 2013

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
CMZ36(TE12L,Q) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 稳压二极管 Diode Zener 36V 2W
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
CMZ36(TE12L,Q) 技术参数
  • CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 19V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 17V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8) 标准包装:3,000 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13
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