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CMZ5344BTR13

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CMZ5344BTR13
深圳市贸盛微电子有限公司
深圳市贸盛微电子有限公司
联系人：周先生
电话：0755-8220875218127068687
地址：深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G
资质：营业执照
100000
Centralsemi
SMC
NA
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CMZ5344BTR13 技术参数

CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 19V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 17V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13