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CPH5871-TL-W

配单专家企业名单
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  • CPH5871-TL-W
    CPH5871-TL-W

    CPH5871-TL-W

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3404

  • ON/安森美

  • SOT

  • 2210+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • 1/1页 40条/页 共40条 
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CPH5871-TL-W PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5
  • 制造商
  • on semiconductor
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 二极管(隔离式)
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 3.5A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 52 毫欧 @ 2A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 4.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 430pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 900mW
  • 工作温度
  • -55°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装
  • 5-CPH
  • 标准包装
  • 3,000
CPH5871-TL-W 技术参数
  • CPH5852-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A CPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式),逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):145 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):200pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:1 CPH5617-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 80mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:5-SMD,鸥翼型 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH5541-TL-E 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V/30V 0.7A 5CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN,PNP(耦合发射器) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V,30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):190mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:540MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH5524-TL-E 功能描述:TRANS NPN/PNP 50V 3A 5CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN,PNP(耦合发射器) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):240mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:380MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:1 CPH5520-TL-E 功能描述:TRANS NPN/PNP 80V/50V 2A 5CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN,PNP(耦合发射器) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V,50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):260mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:420MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:5-CPH 标准包装:3,000 CPH6006-TL-E CPH6020-TL-E CPH6021-TL-H CPH6071-TL-E CPH6102-TL-E CPH6121-TL-E CPH6122-TL-E CPH6123-TL-E CPH6153-P-TL-E CPH6153-TL-E CPH6223-TL-E CPH6311-TL-E CPH6337-TL-E CPH6337-TL-W CPH6341-M-TL-E CPH6341-M-TL-W CPH6341-TL-E CPH6341-TL-W
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