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CPH6101-TL /AA

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CPH6101-TL /AA 技术参数
  • CPH6071-TL-E 功能描述:TRANS PNP/NPN 20V 0.3MA CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN,PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:2.2GHz,1.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:900mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V / 15 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6021-TL-H 功能描述:RF Transistor NPN 12V 100mA 10GHz 700mW Surface Mount 6-CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 1GHz 增益:14dB @ 1GHz 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6020-TL-E 功能描述:RF Transistor NPN 8V 150mA 16GHz 700mW Surface Mount 6-CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):8V 频率 - 跃迁:16GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 1GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6006-TL-E 功能描述:TRANS NPN 20V 300MA CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:2.2GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6005-TL-E 功能描述:TRANS PNP 20V 300MA CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:1.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):15 @ 50mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6337-TL-W CPH6341-M-TL-E CPH6341-M-TL-W CPH6341-TL-E CPH6341-TL-W CPH6347-TL-H CPH6347-TL-W CPH6350-P-TL-E CPH6350-TL-E CPH6350-TL-W CPH6354-TL-H CPH6354-TL-W CPH6355-TL-H CPH6355-TL-W CPH6411-TL-E CPH6429-TL-E CPH6434-TL-E CPH6442-TL-E
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