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CPV362M4R技术参数

CPV362M4U 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2 RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B CPV362M4UPBF 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 7.2A 600V IMS-2 CPV362MF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT CPV362MK 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT CPV362MM 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated Fast IGBT CPV362MU 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Ultra-Fast IGBT CPV363 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT CPV363M4F 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2 RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B CPV363M4FPBF 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE HEX IMS-2 CPV363M4K 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2 RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B