您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

CRZ43(TE85L,Q,M)

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CRZ43(TE85L,Q,M)
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
16000
Toshiba Semiconductor and
原厂封装
17+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E

CRZ43(TE85L,Q,M) PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CRZ43(TE85L,Q,M) PDF下载

功能描述
稳压二极管 43V 0.7W S-FLAT
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

CRZ43(TE85L,Q,M) 技术参数

CRZ39(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 31.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ36(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 28.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ33(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 33V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 26.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ30(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CRZ30(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 30V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT（1.6x3.5）标准包装:3,000 CS00096AC-J1-18E-0032.7707 CS00096AC-J1-18E-0032.7707E CS-00505 CS-00510 CS-00516 CS0068-000 CS0078-000 CS0085-000 CS0091-000 CS0095-000 CS01.0121.150 CS01.0221.150 CS0103-000 CS0143-000 CS-018-114.285M CS-018-114.285MHZ CS02.0221.150 CS-023-114.285M