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CRZL-300

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CRZL-300 技术参数
  • CRZ47(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):65 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 37.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CRZ47(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 47V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):65 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 37.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CRZ43(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 34.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CRZ39(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 31.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CRZ36(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 28.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5) 标准包装:3,000 CS-00505 CS-00510 CS-00516 CS0068-000 CS0078-000 CS0085-000 CS0091-000 CS0095-000 CS01.0121.150 CS01.0221.150 CS0103-000 CS0143-000 CS-018-114.285M CS-018-114.285MHZ CS02.0221.150 CS-023-114.285M CS-023E-114.285M CS-03
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