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CS3N80A8

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9133

  • 华晶

  • TO-220AB

  • 14+

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  • 绝对公司原装现货

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
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    联系人:江小姐 ADS触摸芯片一级代理

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    资质:营业执照

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  • HUAJING

  • TO-220AB

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  • 专业华晶高压MOS管

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CS3N80A8 技术参数
  • CS3M-E3/I 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 2A Surface Mount DO-214AB, (SMC) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:26pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB,(SMC) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CS3M-E3/H 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:26pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMC) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:850 CS3K-E3/I 功能描述:Diode Standard 800V 2A Surface Mount DO-214AB, (SMC) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:26pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB,(SMC) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CS3K-E3/H 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:26pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB(SMC) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:850 CS3J-E3/I 功能描述:Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AB, (SMC) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2.8μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:26pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB,(SMC) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CS4121ENF16 CS4121ENF16G CS4122XDWF24 CS4122XDWF24G CS4122XDWFR24 CS4122XDWFR24G CS4124YN16 CS-4-12XA CS-4-12XB CS-4-12XTA CS-4-12XTB CS-4-12YA CS-4-12YB CS-4-12YTA CS-4-12YTB CS-4-13NA CS-4-13NB CS-4-13NTA
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