CSD87355Q5DEVM-820

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CSD87355Q5DEVM-820
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
1000
Texas Instruments
con
23+
-
现货原装查价格、订购可到京北通宇商城w...

CSD87355Q5DEVM-820
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
1000
Texas Instruments
con
23+
-
现货原装查价格、订购可到京北通宇商城w...

CSD87355Q5DEVM-820
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
500
TI
NA
23+
-
DC/DC和AC/DC(离线)SMPS评...

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深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
23324
Texas Instruments
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

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CSD87355Q5DEVM-820 技术参数

CSD87355Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1860pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87353Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 欧姆 @ 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3190pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87352Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:8.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87351ZQ5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1255pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87351Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.6 毫欧 @ 20A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1255pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT CSD88584Q5DC CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC