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CSD88584Q5DCT

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • TI(德州仪器)

  • VSON-CLIP-22

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 26000

  • TI

  • VSON-22

  • 2022+

  • -
  • 原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0...

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 27

  • TEXAS INSTRUMENTS

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

  • -
  • 渠道可追溯现货库存F

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳市宏浩通电子科技有限公司
    深圳市宏浩通电子科技有限公司

    联系人:王利娟

    电话:13823141664

    地址:华强北街道上步工业区305栋3楼B08

  • 12000

  • TI

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 原装正品 假一赔十

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 0

  • Ti

  • VSON-CLIP (DMM)

  • 19

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人:林S

    电话:18927460633

    地址:深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 22+

  • 110

  • TQFP44

  • -
  • 进口原装现货 支持实单价优

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳市华思半导体技术有限公司
    深圳市华思半导体技术有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-8329998313662227781

    地址:华强北路华强广场B座27K

    资质:营业执照

  • 18000

  • TI

  • 原厂封装

  • 23+

  • -
  • 全新原装现货,特价支持

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 6000

  • TI/德州仪器

  • VSON-CLIP (DMM)|22

  • 22+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳市十德盛科技有限公司
    深圳市十德盛科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8271907113336545634

    地址:深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09

    资质:营业执照

  • 600

  • TI(德州仪器)

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货

  • CSD88584Q5DCT
    CSD88584Q5DCT

    CSD88584Q5DCT

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • TI

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • 2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源电压(Vdss)
  • 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • -
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 0.95 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 88nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 12400pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
  • 12W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 22-PowerTFDFN
  • 供应商器件封装
  • 22-VSON-CLIP (5x6)
  • 标准包装
  • 1
CSD88584Q5DCT 技术参数
  • CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 CSD88537NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 CSD88537ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 CSD87588NT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:5-LGA 供应商器件封装:5-PTAB(5x3.5) 标准包装:1 CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT
配单专家

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