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CY7C1021BV33L-15ZC
参数信息:

功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP

RoHS:

类别:集成电路 (IC) >> 存储器

系列:-

标准包装:96

系列:-

格式 - 存储器:闪存

存储器类型:FLASH

存储容量:16M(2M x 8,1M x 16)

速度:70ns

接口:并联

电源电压:2.65 V ~ 3.6 V

工作温度:-40°C ~ 85°C

封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

供应商设备封装:48-TSOP

包装:托盘

CY7C1021BV33L-15ZC技术参数

CY7C1021BV33L-15ZI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: CY7C1021BV33L-15ZXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1021BV33L-15ZXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: CY7C1021CV26-15BAE 功能描述:静态随机存取存储器 64K X 16 2.6V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1021CV26-15BAET 功能描述:静态随机存取存储器 64K X 16 2.6V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1021CV26-15VXE 功能描述:静态随机存取存储器 64K X 16 2.6V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1021CV26-15VXET 功能描述:静态随机存取存储器 64K X 16 2.6V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1021CV26-15XEKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: CY7C1021CV26-15ZSXE 功能描述:静态随机存取存储器 64K X 16 2.6V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1021CV26-15ZSXEKJ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: