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CY7C1315JV18-300BZC
参数信息:

功能描述:静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II (4-Word Burst)

RoHS:

制造商:Cypress Semiconductor

存储容量:16 Mbit

组织:1 M x 16

访问时间:55 ns

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:2.2 V

最大工作电流:22 uA

最大工作温度:+ 85 C

最小工作温度:- 40 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-48

封装:Tray

CY7C1315JV18-300BZC技术参数

CY7C1315JV18-300BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 (4-WORD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1315KV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1315KV18-250BZCT 功能描述:静态随机存取存储器 18432KB 1ms 390mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1315KV18-250BZI 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1315KV18-250BZIT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SYNC SRAMS - Tape and Reel 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:REEL / Sync SRAMs CY7C1315KV18-250BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1315KV18-250BZXI 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1315KV18-300BZC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1315KV18-300BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1315KV18-333BZC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 333MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray