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CY7C1393CV18-250BXZC

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  • CY7C1393CV18-250BXZC
    CY7C1393CV18-250BXZC

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
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  • 9000

  • Cypress

  • 165-LBGA

  • 22+

  • -
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  • 深圳市思诺康科技有限公司
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  • 165-LBGA

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    北京京华特科技有限公司

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  • 2520

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • 制造商
  • Cypress Semiconductor
  • 功能描述
CY7C1393CV18-250BXZC 技术参数
  • CY7C1393BV18-278BZC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1393BV18-250BZI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V IND DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1393BV18-167BZC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1392SV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1392KV18-250BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1399B-12ZXC CY7C1399B-12ZXCT CY7C1399B-15VC CY7C1399B-15VXC CY7C1399B-15VXI CY7C1399B-15VXIT CY7C1399B-15ZC CY7C1399B-15ZXC CY7C1399B-15ZXI CY7C1399B-15ZXIT CY7C1399BL-12ZXC CY7C1399BL-12ZXCT CY7C1399BN-12VXC CY7C1399BN-12VXCT CY7C1399BN-12VXI CY7C1399BN-12VXIT CY7C1399BN-12ZXC CY7C1399BN-12ZXCT
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