CY7C1393CV18-250BZXC功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayCY7C1393BV18-278BZC功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayCY7C1393BV18-250BZI功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V IND DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayCY7C1393BV18-167BZC功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayCY7C1392SV18-250BZC功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR)CY7C1399B-12ZXCTCY7C1399B-15VCCY7C1399B-15VXCCY7C1399B-15VXICY7C1399B-15VXITCY7C1399B-15ZCCY7C1399B-15ZXCCY7C1399B-15ZXICY7C1399B-15ZXITCY7C1399BL-12ZXCCY7C1399BL-12ZXCTCY7C1399BN-12VXCCY7C1399BN-12VXCTCY7C1399BN-12VXICY7C1399BN-12VXITCY7C1399BN-12ZXCCY7C1399BN-12ZXCTCY7C1399BN-15VXA
