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CY7C1414AV18-200BZXI

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  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

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    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

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CY7C1414AV18-200BZXI 技术参数
  • CY7C1414AV18-200BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1414AV18-200BZI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1414AV18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1414AV18-167BZI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1414AV18-167BZCT 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1414KV18-250BZC CY7C1414KV18-250BZCT CY7C1414KV18-250BZI CY7C1414KV18-250BZXC CY7C1414KV18-250BZXCT CY7C1414KV18-250BZXI CY7C1414KV18-250BZXIT CY7C1414KV18-300BZC CY7C1414KV18-300BZI CY7C1414KV18-300BZXC CY7C1414KV18-300BZXI CY7C1414KV18-333BZC CY7C1414KV18-333BZXC CY7C1414KV18-333BZXI CY7C1414LV18-250BZXC CY7C1414SV18-167BZC CY7C1414SV18-250BZC CY7C1414TV18-167BZC
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