CYDM064B16-55BVXI功能描述:静态随机存取存储器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayCYDM064B16-40BVXIT功能描述:IC SRAM 64KBIT 40NS 100VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQCYDM064B16-40BVXI功能描述:静态随机存取存储器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayCYDM064B08-55BVXI功能描述:静态随机存取存储器 64K 8Kx8 MoBL Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayCYDM064B08-40BVXI功能描述:静态随机存取存储器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayCYDM256B16-55BVXICYDM256B16-55BVXITCYDMX064A16-65BVXICYDMX064A16-90BVXICYDMX064B16-65BVXICYDMX128A16-65BVXICYDMX128A16-65BVXITCYDMX128A16-90BVXICYDMX128B16-65BVXICYDMX256A16-65BVXICYDMX256A16-90BVXICYDP1049CYDP1542CYDP1543CYDP1544CYDP1545CYF0018V18L-133BGXICYF0018V33L-133BGXI