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CYDM256A16

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  • CYDM256A16-55BVXIES
    CYDM256A16-55BVXIES

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  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 38600

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    CYDM256A16-55BVXIEX

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

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    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

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  • 制造商
  • CYPRESS
  • 制造商全称
  • Cypress Semiconductor
  • 功能描述
  • 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
CYDM256A16 技术参数
  • CYDM128B16-55BVXIT 功能描述:静态随机存取存储器 128K (8Kx16) MoBL Dual-Port RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYDM128B16-55BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 128K 8Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYDM128B16-40BVXIT 功能描述:IC SRAM 128KBIT 40NS 100VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ CYDM128B16-40BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 128K 8Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYDM128B08-55BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 128K 16Kx8 MoBL Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYDMX128A16-90BVXI CYDMX128B16-65BVXI CYDMX256A16-65BVXI CYDMX256A16-90BVXI CYDP1049 CYDP1542 CYDP1543 CYDP1544 CYDP1545 CYF0018V18L-133BGXI CYF0018V33L-133BGXI CYF0036V33L-133BGXI CYF0072V18L-133BGXI CYF0072V33L-133BGXI CYF2072V33L-100BGXI CYFB0072V18L-133BGXI CYFB0072V33L-133BGXI CYFL248-001
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