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DDT-DJS-UV2-1

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  • DDT-DJS-UV2-1
    DDT-DJS-UV2-1

    DDT-DJS-UV2-1

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 15000

  • DOMINANT

  • LED

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

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  • 制造商
  • DOMINANT
  • 制造商全称
  • DOMINANT Semiconductors
  • 功能描述
  • High brightness surface mount LED
DDT-DJS-UV2-1 技术参数
  • DDTD142TU-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 DDTD142TU-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 DDTD142TC-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 DDTD142JU-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 DDTD122TU-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):220 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 DDU50SA197 DDU-50S-A197-F0 DDU50SBF DDU50SBFA176 DDU50SBFA197 DDU50SF0 DDU50SF225 DDU-50SF-F0 DDU50SFO DDU50ST DDU50STFO DDUE50P DDUE50S DDUE50SA197F0 DDUE50SF0 DDUF50P DDUF50S DDUF50SF0
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