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  • DDTD143EC-7-F
  • 13640
  • Diodes Inc
  • 14+
  • 分立式半导体产品
  • DDTD143EC-7-F
  • 10800
  • Diodes Inc
  • 12+
  • TO-236-3,SC-59,SOT-2
1
DDTD143EC-7-F
参数信息:

功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 4.7K

RoHS:

制造商:ON Semiconductor

配置:

晶体管极性:NPN/PNP

典型输入电阻器:

典型电阻器比率:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:

直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA

最大工作频率:

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:150 mA

峰值直流集电极电流:

功率耗散:200 mW

最大工作温度:

封装:Reel

DDTD143EC-7-F技术参数

DDTD143EU 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR DDTD143EU-7 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 4.7KW 4.7KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel DDTD143EU-7-F 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel DDTD143TC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR DDTD143TC-7 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 4.7KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel DDTD143TC-7-F 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel DDTD143TU 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR DDTD143TU-7 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 4.7KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel DDTD143TU-7-F 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel DDT-DJS-UV2-1 制造商:DOMINANT 制造商全称:DOMINANT Semiconductors 功能描述:High brightness surface mount LED