您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > D字母型号搜索 >

DMDSR16CIK/IW

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
DMDSR16CIK/IW PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
DMDSR16CIK/IW 技术参数
  • DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件状态:过期 字符数:80 显示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 点 显示类型:STN - 超扭转向列 显示模式:可传导的 字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可视范围:152.50mm 长 x 16.50mm 宽 背光:LED - 黄/绿 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 点尺寸:- 接口:并联 工作温度:0°C ~ 50°C 文字颜色:黄 背景颜色:绿 标准包装:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.6A,6.2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A,7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC25D1UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):25V,12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA,3.9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 400mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):27.6pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标准包装:1 DMC25D0UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):25V,30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA,3.2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 400mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):26.2pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标准包装:1 DME10S18K-F DME10S1K-F DME10S22K-F DME10S27K-F DME10S33K-F DME10S39K-F DME10S47K-F DME10S56K-F DME10S68K-F DME10S82K-F DME1737-NW DME1P56K-F DME1P68K-F DME1P82K-F DME1W10K-F DME1W1K-F DME1W1P2K DME1W1P2K-F
配单专家

在采购DMDSR16CIK/IW进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买DMDSR16CIK/IW产品风险,建议您在购买DMDSR16CIK/IW相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的DMDSR16CIK/IW信息由会员自行提供,DMDSR16CIK/IW内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号