您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > D字母型号搜索 >

DMN8802-BC

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
DMN8802-BC PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
DMN8802-BC 技术参数
  • DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.71W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.56W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOP 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.14W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):21.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 DMNF1-288-C DMNF1-288FIB-3K DMNF1-288FIB-C DMNF1-485FIB-3K DMNF1-488-C DMNF1-488FIB-C DMNF1-488FIB-M DMNF1-63-C DMNF1-63FIB-3K DMNF1-63FIB-C DMNF1-63FIM-2K DMNF1-63FIM-L DMNF1-63FIMX-2K DMNF1-63M-C DMNF2-288-C DMNF2-488-C DMNF2-488FIB-3K DMNF2-488FIB-C
配单专家

在采购DMN8802-BC进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买DMN8802-BC产品风险,建议您在购买DMN8802-BC相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的DMN8802-BC信息由会员自行提供,DMN8802-BC内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号